Перегляд за автором "Иванов, В.Н."

Результати 1-12 з 12

Диоды Ганна из GaAs с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны

Иванов, В.Н.; Ковтонюк, В.М.; Николаенко, Ю.Е. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2007)

Показаны преимущества диодов Ганна с катодными контактами из AuGe— TiB2—Au, инжектирующими горячие электроны, по сравнению с диодами Ганна с омическими контактами.
Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Часть 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах

Болтовец, Н.С.; Иванов, В.Н.; Ковтонюк, В.М.; Раевская, Н.С.; Беляев, А.Е.; Бобыль, А.В.; Конакова, Р.В.; Кудрик, Я.Я.; Миленин, В.В.; Новицкий, С.В.; Шеремет В.Н. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2010)

Предложена технология формирования низкобарьерного катодного контакта Au.Ge.InP, обеспечивающая такие же выходные параметры диодов Ганна как и катодные контакты, полученные по более сложной технологии.
Использование электромагнитного излучения в медицине и требования к построению КВЧ-аппаратов

Яцуненко, А.Г; Ковтонюк, В.М.; Иванов, В.Н.; Николаенко, Ю.Е. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005)

Развитие аппаратных средств для КВЧ-терапии идет по пути повышения информационной значимости КВЧ-сигналов и построения многоканальных аппаратов для профилактики и лечения.
Контактные системы на основе тугоплавких металлов в диодах миллиметрового диапазона

Болтовец, Н.С.; Басанец, В.В.; Иванов, В.Н.; Кривуца, В.А.; Фесуненко, В.А.; Цвир, А.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 1999)

Применена металлизация на основе силицидов, нитридов и боридов тугоплавких металлов при разработке генераторных и переключательных диодов.
Контактообразующие пленки боридов и нитридов титана в арсенидгаллиевых СВЧ-приборах

Иванов, В.Н.; Конакова, Р.В.; Миленин, В.В.; Стовповой, М.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)

Рассмотрена термостабильность омических и выпрямляющих контактных систем AuGe—Ta—Au, AuGe—TaNх—Au, AuGe—TiBх—Au, AuGe—TiBх—Mo—Au и Ti—Au, TiNх—Au, TiBх—Au к эпитаксиальным структурам арсенида галлия n-типа толщиной 3–5 мкм ...
Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия

Борисенко, А.Г.; Полозов, Б.П.; Федорович, О.А.; Болтовец, Н.С.; Иванов, В.Н.; Свешников, Ю.Н. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005)

Описаны особенности технологии травления сложных наноструктур, содержащих эпитаксиальные слои нитрида галлия, нанесенные на подложки из сапфира. Изготовлены высокотемпературные датчики Холла.
Противоопухолевые препараты из морских водорослей Средиземноморского бассейна

Апрышко, Г.Н.; Нехорошев, М.В.; Иванов, В.Н.; Мильчакова, Н.А. (Альгология, 2005)

Обобщены литературные данные о влиянии противоопухолевых препаратов из морских водорослей средиземноморского бассейна при лечении некоторых онкологических заболеваний у животных. Приведена химическая характеристика ряда ...
Разработка конструкции и технологии изготовления диодов Ганна для КВЧ-терапии

Иванов, В.Н.; Ковтонюк, В.М.; Раевская, Н.С. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2004)

Рабочая частота 42 ГГц, выходная мощность больше 1 мВт при рабочем токе менее 120 мА, повышенный выход годных диодов.
Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов

Яцуненко, А.Г.; Ковтонюк, В.М.; Иванов, В.Н.; Николаенко, Ю.Е. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005)

На основе специально разработанного слаботочного диода Ганна, работающего в диапазонах длин волн 42—53 ГГц и 56—65 ГГц, усовершенствованы аппараты КВЧ-терапии.
Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллиметровых длин волн

Иванов, В.Н.; Ковтонюк, В.М.; Николаенко, Ю.Е. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2006)

Разработанная технология позволила создать диоды Ганна, работающие на частоте до 80 ГГц с КПД до 4% и выходной мощностью 40 мВт.
Уроки аварии, произошедшей 17 августа 2009 г. на Саяно-Шушенской ГЭС

Иванов, В.Н. (Гідроенергетика України, 2010)
Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления

Болтовец, Н.С.; Борисенко, А.Г.; Иванов, В.Н.; Федорович, О.А.; Кривуца, В.А.; Полозов Б.П. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2009)

Представлены результаты исследования и оптимизации процесса формирования карбидокремниевой мезаструктуры для p-i-n-диода на промышленной технологической базе. Исследованы характеристики диодов в интервале температуры 25-500 °С.

Результати 1-12 з 12

Пошук

Розширений пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Перегляд за автором "Иванов, В.Н."

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд за автором "Иванов, В.Н."

Пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Мій обліковий запис